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ARM 汇编指令：STR

1. 核心定义

STR是Store Register的缩写，意思是将寄存器中的值存储（写入）到内存。它是 ARM 汇编中最基本、最常用的内存写入指令。

与它对应的是LDR指令，后者是从内存加载数据到寄存器。

2. 基本语法

STR{<size>} <Rt>, [<Rn>, <operand2>]

• {<size>}:可选的后缀，指定操作的数据大小。默认为 32 位（字）。
  • B- 字节 （8位），如STRB
  • H- 半字 （16位），如STRH
  • 无后缀 - 字 （32位），如STR
  • 在 ARMv8 (AArch64) 中，还可以使用W(32位) 或X(64位) 寄存器来隐含大小。
• <Rt>:源寄存器，其值将被存储到内存。
• [<Rn>, <operand2>]: 内存地址表达式。
  • Rn: 基址寄存器，存放内存地址的基值。
  • operand2: 地址偏移量，可以是立即数或另一个寄存器，有时还可以带移位。

3. 寻址模式（关键部分）

寻址模式决定了如何计算最终的内存地址。

a) 偏移模式

地址是基址寄存器加上一个偏移量。原基址寄存器的值不变。

STR R1, [R2, #12] ; 内存地址 = R2 + 12，将 R1 的值存入此地址。R2 本身的值不变。

b) 前变址模式

先计算新地址（基址+偏移），然后使用这个新地址进行存储。基址寄存器的值会被更新为这个新地址。

STR R1, [R2, #12]! ; 注意感叹号 '!' ; 1. 计算新地址: R2_new = R2_old + 12 ; 2. 将 R1 的值存储到 [R2_new] 指向的内存 ; 3. 将 R2 寄存器的值更新为 R2_new

c) 后变址模式

先使用原基址寄存器的值作为地址进行存储，然后再更新基址寄存器（加上偏移量）。

STR R1, [R2], #12 ; 偏移量写在括号外 ; 1. 将 R1 的值存储到 [R2_old] 指向的内存 ; 2. 更新 R2: R2_new = R2_old + 12

这种模式非常适合在存储后移动指针，例如遍历数组。

d) 寄存器偏移

偏移量可以来自另一个寄存器，并可选择移位操作。

STR R1, [R2, R3] ; 地址 = R2 + R3 STR R1, [R2, R3, LSL #2] ; 地址 = R2 + (R3 * 4)

4. 数据大小示例 (ARMv7/AArch32)

STR R0, [R1] ; 将 R0 中的 32 位字（Word）存储到 R1 指向的地址 STRB R0, [R1] ; 只将 R0 的最低 8 位字节（Byte）存储到内存 STRH R0, [R1] ; 只将 R0 的最低 16 位半字（Halfword）存储到内存

5. AArch64 (ARMv8 64位) 中的变化

在 64 位架构下，语法和寄存器名称有更新：

• 通用寄存器是X0-X30(64位) 或W0-W30(32位)。
• STR的数据大小通常由寄存器宽度隐含，但也可用后缀指定。
• 偏移量范围通常更大。

STR X0, [X1, #8] ; 将 64 位的 X0 存储到地址 X1+8 STR W0, [X1, #4] ; 将 32 位的 W0 存储到地址 X1+4 STRB W0, [X1] ; 将 W0 的低 8 位存储到地址 X1

6. 一个简单完整的示例

假设我们要将数组array的第一个元素（在内存中）设置为 100。

.data array: .word 0, 0, 0, 0 ; 定义一个包含4个字的数组，初始为0 .text .global main main: // 假设我们要将 array[0] 赋值为 100 LDR R0, =array ; R0 获得数组的首地址（加载地址） MOV R1, #100 ; R1 = 100，这是我们要存储的值 STR R1, [R0] ; 关键指令：将 R1 的值（100）存储到 R0 指向的内存地址 // 使用后变址模式存储 200 到 array[1] MOV R1, #200 STR R1, [R0], #4 ; 存储到 [R0]，然后 R0 = R0 + 4（指向下一个字） // 此时 R0 指向 array[1] 的地址 BX LR ; 返回

7. 要点总结

理解STR及其寻址模式是掌握 ARM 汇编内存操作的基础。它与LDR指令一起，构成了寄存器和内存之间数据交换的核心手段。