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在新能源、工业控制等领域飞速发展的今天，功率器件的性能直接决定了系统的效率、可靠性与小型化水平。传统硅基器件逐渐难以满足高频、高温、高压场景下的严苛需求，而碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的核心代表，正以其卓越的物理特性重塑功率电子行业格局。

杰盛微半导体深耕功率器件领域多年，凭借深厚的技术积累与精准的市场洞察，重磅推出SC4D50120H-JSM 碳化硅肖特基二极管。这款产品集零恢复电流、高阻断电压、宽温工作等多重优势于一身，为各类高端电力电子设备提供了高效可靠的解决方案，堪称功率系统升级的 “性能利器”。

一、产品核心亮点：七大特性直击行业痛点

SC4D50120H-JSM 的脱颖而出，源于其对功率器件核心需求的精准把控，七大核心特性从效率、可靠性、适配性等维度全面升级，重新定义行业标准。

1. 零恢复电流设计：彻底告别开关损耗

作为多数载流子器件，该二极管实现零正反向恢复电流，从根源上消除了传统硅二极管开关过程中产生的恢复电荷与开关损耗。这一特性不仅能大幅提升系统能量转换效率，还能减少电磁干扰（EMI），让设备运行更高效、更稳定，尤其适配高频工况下的效率提升需求。

2. 高阻断电压 + 高频兼容：适配高压复杂场景

具备1200V 高阻断电压，可直接满足光伏逆变器、工业电源等高压应用需求，无需额外串联器件，简化电路设计。同时支持高频工作特性，配合零开关损耗优势，能大幅提升系统开关频率，缩小滤波电容、电感等无源器件体积，助力设备向小型化、轻量化发展。

3. 正温度系数 + 宽温工作：稳定适配极端环境

正向电压（VF）具备正温度系数，使多个器件并联时可自动实现电流均衡分配，彻底避免热失控风险，无需复杂均流电路，降低大功率系统设计难度。同时开关特性不受温度影响，工作结温与存储温度均覆盖 **-55℃~175℃** 宽范围，无论是严寒户外还是高温设备内部，都能保持稳定性能。

4. 高浪涌电流 + 雪崩测试：强化极端工况可靠性

拥有高浪涌电流耐受能力，非重复正向浪涌电流可达 350A（25℃、10ms 半正弦脉冲），能从容应对设备启动冲击、负载突变等突发状况。产品经过100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 269mJ，在电压击穿等极端工况下仍能保障安全运行，为系统提供双重防护。

二、多元应用场景：赋能全行业效率升级

凭借卓越的综合性能，SC4D50120H-JSM 的应用场景覆盖新能源、工业控制、电源转换等核心领域，成为各行业系统升级的 “通用型利器”。

1. 新能源领域：光伏 / 风电逆变器的效率引擎

在光伏电站、风电场中，逆变器的能量转换效率直接影响发电量。该二极管的零开关损耗、高阻断电压特性，能将逆变器转换效率提升 3%~5%，配合宽温工作能力，可适应户外 - 55℃~175℃的极端温差，保障新能源发电系统全年稳定运行。

2. 工业控制：伺服驱动器的精准控制核心

伺服驱动器对响应速度与可靠性要求极高，SC4D50120H-JSM 的高频工作特性与快速开关能力，能提升伺服系统动态响应速度，实现电机的精准定位与调速；高浪涌电流耐受能力与宽温特性，可应对工业车间的复杂电磁环境与温度波动，保障生产线连续运行。

3. 电源转换：AC/DC、DC/DC 转换器的小型化关键

各类电子设备的电源转换器面临 “高效 + 小型化” 双重需求。该二极管能显著降低转换器的开关损耗与导通损耗，助力产品达到能效等级 VI 标准；高频特性可缩小电源体积 30% 以上，适配消费电子、工业电源、充电桩等对空间要求严苛的场景。

4. 应急保障：不间断电源（UPS）的可靠后盾

UPS 作为关键设备的 “电力安全网”，需在市电中断时快速响应、稳定供电。SC4D50120H-JSM 的零恢复电流特性减少了切换过程中的能量损耗，100% 雪崩测试验证与宽温工作能力，确保 UPS 在突发状况下无故障运行，守护数据中心、医疗设备、金融终端等关键场景的电力安全。

三、关键参数：硬核性能，数据说话

（1）最大额定值

（2）电气特性（典型值 / 最大值）

（3）热学特性

四、硬核参数解析：数据见证卓越性能

如果说特性是产品的 “设计灵魂”，那么关键参数就是其 “性能底气”。SC4D50120H-JSM 的各项参数经过严苛优化，全面覆盖中高端应用的严苛要求。

1. 电压与电流性能：高压大电流双重保障

• 峰值重复反向电压（VRRM）：1200V，直流阻断电压（VDC）同步达到 1200V，高压稳定性拉满；

• 连续正向电流（I）：25℃时可达 112A，135℃高温下仍保持 63A，140℃时为 50A，高温载流能力突出；

• 浪涌电流表现：重复峰值正向浪涌电流 25℃时 270A、110℃时 230A，非重复正向浪涌电流 350A，抗冲击能力优异。

2. 功耗与热学特性：高效散热 + 低损耗

• 总功耗（P0）：25℃时 600W，110℃时 340W，功率承载能力强劲；

• 结壳热阻（Rth (j-c)）：仅 0.25℃/W，散热效率远超行业平均水平，确保高功率密度场景下稳定运行；

• 低导通损耗：40A 正向电流、25℃条件下，正向电压（VF）典型值仅 1.45V，最大值不超过 1.75V，能量损耗降至最低。

3. 电气稳定性：低漏电流 + 精准电容控制

• 反向电流（IR）：1200V 反向电压下，25℃时典型值仅 6μA，175℃时为 99μA，漏电流极小，高压稳定性出色；

• 电容特性：总电容电荷（QC）在 800V、25℃时为 211nC，总电容（C）随反向电压升高精准下降，1MHz 频率下 800V 时仅 135pF，适配高频开关场景。