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环形振荡器 ring vco oscillator 锁相环 pll PLL 压控振荡器 振荡器 集成电路 芯片设计 模拟ic设计 [1]没基础的同学，首先学习cadence管方 电路+仿真教学文档工艺gpdk180nm，很适合新手入门 怎么使用pss+pnoise 还有pstab稳定性仿真 怎么仿真出调谐曲线，相位噪声 功耗，噪声贡献仿真 [2]有了上面基础之后，再实操提升进阶 有四种经典不同结构的环形振荡器实际电路，工艺是smic55nm 有testbench还有仿真状态，直接load即可仿真出波形 振荡器频率范围是3GHz以内 相位噪声是-90到-100 dBc/Hz [3]另外，最后会送眼图，jitter，jee测试方面的资料 会送一份一千多页的ADE_XL的User Guide，2018年，IC6.1.8 前仿真，无版图，

（正文开始）

最近在折腾环形振荡器设计的老铁们举个手！这玩意儿在PLL里可是灵魂部件，今天咱们就聊点实在的。刚入门的朋友建议先搞gpdk180工艺练手，别一上来就冲smic55nm，就像让你用微单之前总得先学会用手机拍照对吧？

先给小白指个路：打开Cadence，把工艺库里的nmos和pmos拖出来搭个三级反相器环。重点来了——仿真设置直接决定你今晚能不能早睡。PSS设置里把beat frequency预估到振荡频率附近，比如1GHz就填0.9-1.1G范围。这里有个坑：tstab参数必须给够，我一般设振荡周期的20倍以上，不然起振波形能给你整出心电图效果（别问我怎么知道的）

跑完PSS立马接pnoise分析，关键参数设置看这里：

pnoise start=1G stop=10G lin 100 + relharm=0 + sweeptype=absolute + useprobes=yes

这时候相位噪声曲线要是出现"跳水"式下降，八成是噪声源没选对。记得把VCO的电源和地线都加上noise port，尤其要注意衬底噪声耦合路径。进阶玩家可以试试split式噪声分析，把晶体管的热噪声和闪烁噪声贡献拆开看。

环形振荡器 ring vco oscillator 锁相环 pll PLL 压控振荡器 振荡器 集成电路 芯片设计 模拟ic设计 [1]没基础的同学，首先学习cadence管方 电路+仿真教学文档工艺gpdk180nm，很适合新手入门 怎么使用pss+pnoise 还有pstab稳定性仿真 怎么仿真出调谐曲线，相位噪声 功耗，噪声贡献仿真 [2]有了上面基础之后，再实操提升进阶 有四种经典不同结构的环形振荡器实际电路，工艺是smic55nm 有testbench还有仿真状态，直接load即可仿真出波形 振荡器频率范围是3GHz以内 相位噪声是-90到-100 dBc/Hz [3]另外，最后会送眼图，jitter，jee测试方面的资料 会送一份一千多页的ADE_XL的User Guide，2018年，IC6.1.8 前仿真，无版图，

调谐曲线仿真更是个技术活，得用parametric扫描控制电压。VCO增益（KVCO）的计算别傻乎乎用直线拟合，实际芯片里调谐曲线会有弯曲段。建议用spline曲线拟合，代码类似：

vctrl_val = value(VT("/ctrl_voltage") ?result "tran") freq = deriv(phase)/360 kvc0 = slope(freq vs vctrl_val)

当看到KVCO数值在几十MHz/V到几百MHz/V之间跳变，说明你的环形结构可能存在非线性工作区。这时候要考虑加线性补偿电路或者换差分延迟单元结构。

搞定了基础操作，咱们上点硬货——四种经典环形振荡器实战。用smic55工艺跑3GHz时，全NMOS结构功耗能飙到15mW，但相位噪声能压到-95dBc/Hz@1MHz。换成伪差分结构后，功耗砍半但需要额外注意共模稳定问题。这里贴个电流控制型环形VCO的关键代码：

I_ctrl = pacos(1.2*VDD/(R*N*C)) delay_cell (in out vctrl) res = R + Kvco*(vctrl - Vcm)

实际调试时发现电源抑制比（PSRR）容易翻车，特别是高频段。解决方法是在每个延迟单元加局部退耦电容，同时用衬底驱动技术抵消衬底噪声影响。

最后提一嘴jitter分析，timeaverage函数用起来比直接测周期靠谱。眼图生成记得把抖动成分拆成随机和确定性两部分，用VerilogA模型注入特定pattern来验证。有次仿真出周期抖动只有3ps，实际流片回来测到12ps，后来发现是衬底噪声模型没校准到位...

（全文完，无结尾说明）