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1. 行业发展概况

半导体存储器利用半导体介质贮存电荷以实现信息存储，存储与读取过程体现为电荷的贮存或释放，是现代数据存储的主流形式。根据 WSTS 估算，2025 年全球存储芯片市场规模约 1,848.41 亿美元，市场占比 30%，仅次于逻辑芯片市场。

存储芯片按照是否需要持续通电以维持数据分为易失性存储和非易失性存储。易失性存储用于临时保存数据以供处理器读写，可进一步分为 DRAM 和SRAM；非易失性存储可长期保存数据，包括闪存和 PROM 等其他类型的存储技术。面向终端用户的存储产品主要分为四大类：嵌入式存储、固态硬盘、移动存储和内存条。半导体存储器晶圆的主要类型及其相应的存储产品类型如下：

易失性存储中 DRAM 应用最为广泛，DRAM 的特点是结构简单、存储密度高，DDR DRAM 通常用于具有标准尺寸和功耗要求的设备中，而 LPDDR 则主要用于具有严格功耗限制的设备中；其他类型的 DRAM 技术主要包括 GDDR，主要用于图形显卡。非易失性存储中 NAND Flash 有高读写持久性和容量大的特点，应用最为广泛。根据 Yole 数据，2024 年全球半导体存储器市场中DRAM 占比达 57%，NAND Flash 约占 40%。

1.1 NAND Flash 市场概况

NAND Flash 是使用电可擦技术的高密度非易失性存储。NAND Flash 每位只使用一个晶体管，存储密度远高于其他 ROM，在正常使用情况下 Flash 所存的电荷（数据）可长期保存；同时，NAND Flash 能够实现快速读写和擦除。NAND Flash 为大容量数据存储的实现提供了廉价有效的解决方案，是目前全球市场大容量非易失存储的主流技术方案。据 CFM 闪存市场预测，2025 年，全球 NAND Flash 市场规模预计将达到 870 亿美元。

NAND Flash 上游主要由三星电子（SAMSUNG ）、SK 海力士（SK Hynix）、美光（Micron）、闪迪（SanDisk）和铠侠（KIOXIA）等少数企业主导，呈现出寡头垄断的市场特征。

1.2 DRAM 市场概况

DRAM 需要维持通电以临时保存数据供主系统 CPU 读写和处理，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介，广泛应用于智能手机、个人电脑、服务器等主流应用市场。

DRAM 市场高度集中，SK 海力士、三星、美光占据大部分市场份额。

2. 未来发展趋势

2.1 数据量增长推动存储需求增长

存储对数据处理基础设施而言至关重要，涉及从收集到分析和检索的整个计算生命周期的数据读写。进入 21 世纪以来，随着各类互联网业态迅猛发展，智能手机及可穿戴设备等智能设备得到广泛应用，5G 移动网络及云计算的快速发展，全球数据总量快速上升。2022 年，AI 大模型的出现进一步催生了海量的多模态数据以供模型训练和推理，同时，自动驾驶以及 AI 手机、AI PC 及具身智能等设备的推出也推动了边缘数据生成量同步增长。根据 IDC 预测，2025 年全球将产生 213.56ZB 数据，到 2029 年将增长一倍以上达到 527.47ZB。数据量迅猛增长，推动存储需求持续增长，根据 CFM 闪存市场预计，2025 年全球存储市场规模合计高达 1,932 亿美元，创历史最高纪录。

2.2 AI 兴起为存储市场扩容创造新动力

存储产业链下游涵盖智能手机、PC、可穿戴设备、服务器、汽车电子等多个应用领域，AI 在各类应用场景快速普及，对半导体存储提出更高要求，驱动行业市场规模持续扩容。上游算力方面，AI 服务器的训练与推理对高性能、低延迟存储解决方案的依赖日益增强，带动存储器在带宽、容量及功耗等方面持续优化，下游终端方面，随着 AI 从云端向端侧渗透，智能手机、PC、AI 眼镜、智能汽车等终端对更大容量、更高带宽、更低功耗的存储需求显著提升，带动专用型存储快速扩容。

2.3 主流技术发展趋势

2.3.1 NAND Flash

随着数据存储需求的指数级增长，市场对 NAND Flash 的存储密度需求越来越高。目前，各存储原厂主要通过存储单元存储更多位的数据或者持续提高3D NAND 堆叠层数实现存储密度的提升。

NAND Flash 根据存储单元存放不同位元的数据分为 SLC、MLC、TLC 和QLC，随着存储密度增加，其寿命越短且传输速度越慢，但存储容量更大且成本更低。随着技术发展，QLC 已具备一定能耗优势，市场渗透率逐步提升，未来有望成为主流存储介质

3D NAND 技术主要通过在垂直堆栈中将多组存储单元进行相互层叠，以实现存储容量增加的目的，通过 3D NAND 技术堆叠可大幅提升存储密度。根据CFM 闪存市场数据，2023 年，各大厂商正式突破 200 层堆叠 NAND Flash；2025 年，部分厂商已实现 300 层以上堆叠 NAND Flash。

2.3.2 DRAM

随着生成式 AI 对算力要求的不断提升，传统内存技术的带宽限制已逐渐无法满足高性能 AI 的数据传输需求，HBM 已成为当前 AI 领域首选的高带宽内存技术。HBM 采用硅通孔（TSV）技术将多个 DRAM 芯片进行堆叠，并与GPU 一同进行封装，形成大容量、高位宽的 DDR 组合，从而克服单一封装内的带宽限制。相较于传统 DDR 内存技术，HBM 具有高带宽、低功耗、低延时等优势，有望成为 AI 时代最重要的内存技术之一。

目前，在生成式 AI 高速发展的背景下，对 HBM 的需求呈现快速增长态势。根据 Yole 数据，2024 年全球 HBM 市场规模为 170 亿美元，预计 2025 年将增长一倍达到 340 亿美元。市场竞争方面，SK 海力士占据 HBM 市场份额的 54%，三星和美光市占率分别达到 39%和 7%，呈现寡头竞争格局。

3. 行业的利润水平及变动趋势

存储产品的定价与存储晶圆的价格呈现强关联性，致使行业具备鲜明的周期性特征。该周期的走势受多重因素驱动，涵盖上游存储原厂的库存水平、资本开支策略、技术发展节点以及下游各应用领域的需求波动。相应地，行业利润水平亦随之变化：在存储价格的上升周期，行业整体盈利能力强；而在价格下行期间，利润空间则普遍承压。

4. 影响行业发展的有利和不利因素

4.1 有利因素

4.1.1 政策支持下，存储行业迎来重要发展机遇

2025 年 10 月 28 日，中共中央关于制定国民经济和社会发展第十五个五年规划的建议发布，强调科技自立自强和发展新质生产力，明确全链条推动集成电路等关键核心技术攻关取得决定性突破，存储产业作为集成电路关键领域和现代信息系统的核心，迎来重要发展机遇。2025 年 8 月 22 日，工业和信息化部、市场监督管理总局印发《电子信息制造业 2025-2026 年稳增长行动方案》，明确支持人工智能、先进存储、三维异构集成芯片、全固态电池等前沿技术方向基础研究。这些举措将驱动国内存储产业在技术攻关、产业链自主可控上取得决定性突破，并借助“人工智能+”等新质生产力场景，加速迈向高端化与规模化发展。

4.1.2 AI 浪潮推动存储扩容，终端需求持续增长

存储下游应用场景丰富，AI 浪潮推动存储需求持续扩大。随着 AI、云服务、自动驾驶、5G 等技术的高速发展，手机、PC、服务器、数据中心、智能汽车、可穿戴设备等终端应用对高性能、高容量、低功耗的存储需求持续增长。一方面全球云服务提供商纷纷加大服务器等 AI 基础设施投入，推动 AI 服务器市场迅速增长；另一方面，随着 AI 技术的不断进步和应用场景的不断拓展，AI 智能终端渗透率将大幅增长，带动新一轮 AI 手机、AI PC 等端侧设备的换机潮。

4.1.3 信息安全上升至国家战略高度，数据本地化需求推动国内存储行业发展

在全球贸易争端持续深化的背景下，半导体产业链自主可控成为各国战略布局的核心议题。随着中国对国内数据管理的重视程度不断提高，相关法规中明确要求相关数据存储在中华人民共和国境内。同时，国家对存储产品产业的发展扶持力度也在稳步加大，再加上终端用户越来越重视本地采购和可靠性，为国内存储行业和存储产品企业创造了巨大的市场机遇。

4.2 不利因素

4.2.1 行业周期性特征带来的业绩下滑风险

存储通用规格产品通常具有公开市场参考价格，市场价格传导机制顺畅，存储产品的销售价格变动趋势通常与存储晶圆的采购价格变动趋势一致。但由于产品销售单价受销售时点市场价格影响，而单位成本受采购时点市场价格影响，两者之间存在采购、生产、销售周期间隔，产品单位成本的变化滞后于产品销售单价的变化，使得存储器厂商业绩随晶圆价格波动而波动。

4.2.2 国内存储产业处于技术追赶阶段

国内存储产业在存储晶圆制造环节起步较晚，目前仍处于技术积累和追赶阶段，部分企业正在积极投入研发并已取得一定技术突破；在封测制造环节对前沿技术的积累与应用仍存在成长空间；另外，高端半导体材料和设备在相关政策的支持和推动下正在逐步突破技术瓶颈，对外依存度逐渐降低。

4.2.3 人才结构性短缺

作为典型的知识密集型行业，半导体存储器企业的长久竞争力根植于其高端技术人才实力，这使得研发团队的建设与技术水平的提升成为企业发展的根本保障。尽管国内存储产业的人才基数在持续增长，但与产业历史悠久的日韩、美欧相比，国内因起步较晚，导致高端人才存量不足、培养体系尚待完善，人才的结构性短缺将导致技术创新受阻、产品迭代速度落后。

5. 进入本行业的壁垒

5.1 技术与人才壁垒

存储器厂商面向下游细分行业客户的客制化需求，企业需要对主控芯片设计、固件开发、存储芯片设计、封装测试等方面的各类技术有深入的研究储备，并有行业实际应用积累。存储应用产品的开发需要建立一支技术水平高、研发能力强的团队，才能保证企业拥有持续的研发能力和自主创新能力，不断推出适应市场、满足客户需求的新产品。技术开发和人才培养需要大量的人力资金投入和一定时间的积累，难以从市场直接引进和购买。因此，新进入者面对较高的技术与人才壁垒，并且随着技术迭代的加速，行业技术研发壁垒和人才壁垒将越来越高。

5.2 品牌及客户壁垒

领先的存储器厂商在存储晶圆产品化的过程中形成品牌声誉，推动自身品牌形象的塑造，进而巩固市场地位，新进入行业的公司缺乏品牌认可度，难以在短时间内取得客户的信任。在市场竞争日益激烈的情况下，以良好产品品质为依托的品牌认可度对企业尤其重要，知名品牌是企业产品质量、品牌文化、工艺技术等多方面因素综合体现。此外，大型客户为了保持其自身产品品质的稳定性，不会轻易更换其供应商，这对新进入企业争夺客户资源也形成了障碍。创立知名品牌及积累客户资源需要长期、大量的投入，新进入行业的企业短期内难以形成有效品牌影响力与市场认可度，面临一定的品牌及客户壁垒。

5.3 供应链壁垒

存储晶圆厂商聚焦大宗市场，存储器厂商则聚焦客制化细分市场。存储晶圆厂商凭借晶圆优势向下游存储产品领域渗透，以晶圆的创新设计与制程提升聚焦于具有大宗数据存储需求的行业和客户（如智能手机、个人电脑及服务器行业的头部客户）。而对于产品差异化较大、需客制化的长尾细分行业市场以及主流应用市场中小客户，则由独立的存储器厂商进行开拓。由于上游存储晶圆市场集中度较高，存储器厂商通常会与原厂签署长期合约，保持稳定、规模化的晶圆采购，建立稳固的战略协同关系并形成一定的信用积累，原厂出于合作稳定性和便利性的考虑一般不会更换与之合作的存储器厂商，因此行业内具有较高的供应链壁垒。

5.4 资金壁垒

存储器行业对新进入者形成了较高的资金壁垒。一方面，由于存储原厂在存储行业中处于垄断地位，存储器的大部分成本为存储晶圆采购成本，晶圆的采购及备货需占用存储器厂商较多资金，存储器厂商自身的资金实力也决定了其对上游原厂存储晶圆资源的吸纳能力；另一方面，半导体存储产品行业的技术变化速度快，因此必须不断投资进行研发，迭代生产能力，这对独立存储器厂商提出了较大的资金需求。

6. 行业的经营特征

6.1 周期性

存储晶圆作为半导体存储器的核心基础材料，其市场动态呈现出一定的周期性波动。这种周期性主要由全球市场的供需关系决定：当需求旺盛、供给紧张时，价格攀升，刺激资本开支与产能扩张；而当新增产能集中释放导致供过于求时，价格则进入下行通道。在 AI 兴起的驱动下，目前全球半导体行业处于上行周期中。

6.2 区域性与季节性

区域性方面，国内存储行业呈现出区域集聚特征，产业高度集中于数字经济发展水平高、产业链配套完善的华东、华南地区，形成了以广东、江苏、上海等省市为核心的产业集群。季节性方面，通常情况下存储产品需求在节假日、电商平台促销期间较为旺盛。

7. 行业竞争格局

存储芯片在不同的应用场景中需要具备不同的功能，这些功能需要通过主控芯片设计、固件开发以及封装等产业链后端环节来实现，因此原厂完成晶圆制造后，仍需开发大量应用技术以实现从标准化存储晶圆到具体存储产品的转化。存储原厂在产品应用领域所投入的成本及资源相对有限，其往往倾向于聚焦具有大宗数据存储需求的行业和客户，在存储原厂的核心目标市场之外仍存在极为广泛的应用场景和市场需求，以及主流应用市场灵活定制产品的需求。原厂和存储器品牌厂商的存储器产品各自满足不同应用的需求，参与构成存储器市场。

根据灼识咨询的数据，江波龙是全球第二大独立存储器企业及中国最大的独立存储器企业。江波龙是少数在存储器 B2B 和 B2C 市场均拥有独立品牌的中国公司，各品牌业务处于国际领先地位。公司旗下 FORESEE 品牌 2023 年 B2B收入在全球独立存储器品牌中排名第五；Lexar 品牌 2023 年 B2C 收入在全球独立存储器品牌中排名第二；Zilia 品牌 2023 年收入在拉丁美洲和巴西的独立存储器企业中位居第一。

8. 上下游行业发展情况

8.1 上游行业发展情况

半导体存储应用产品的研发、设计、封装测试、生产制造与销售，所处存储器行业上游主要包括存储晶圆、主控芯片等原材料以及封装测试服务商等。

8.1.1 存储晶圆市场发展状况

存储晶圆的设计与制造产业具有较高的技术和资本门槛，早期进入存储器领域的全球领先企业通过巨额资本投入不断积累市场竞争优势，全球存储晶圆市场长期以来被韩国、美国和日本的少数企业主导。

8.1.2 主控芯片市场发展状况

主控芯片对非易失性存储器至关重要，可以通过固件协调多颗芯片，并实现诊断和修复等各种功能。主控芯片设计具有高技术壁垒和高度细分的特点，包括公司在内的部分存储器制造商具备独立完成主控芯片设计、验证和优化的能力，能以差异化的自研主控和自研固件技术满足终端客户的需求。同时，不同类型存储器产品所采用的主控芯片在技术复杂度上存在显著差异，为了提高研发效率和产品的市场适应性，存储器厂商除自研主控芯片外，也与第三方主控芯片厂商合作，综合主控芯片厂商技术优势，拓宽自身产品组合，提供更多样化的存储解决方案。

8.1.3 封测市场发展状况

封装是半导体产业链的关键环节，负责实现芯片与外部电路之间的电气连接与机械保护，有助于确保产品在实际应用中的性能和质量，并实现对产品尺寸的精确控制。近年来，国家层面持续加大对先进封装产业链的资源支持与政策投入。

8.2 下游行业发展情况

半导体存储器根据下游应用场景形成了不同的产品形态。NAND Flash 主要分为嵌入式存储、固态硬盘、移动存储等。嵌入式存储市场主要受智能手机、平板等消费电子行业驱动，固态硬盘下游市场主要包括服务器、PC；移动存储则广泛应用于各类消费领域。DRAM 中，LPDDR 主要与嵌入式存储配合应用于智能手机、平板等消费电子产品，近年来亦应用于功耗限制严格的个人电脑产品；DDR 主要应用于服务器、PC 等。不同应用场景对存储器的参数要求复杂多样，涉及容量、读写速度、可擦除次数、协议、接口、功耗、尺寸、稳定性、兼容性等多项内容。

AI 技术的快速发展正在深刻影响着存储行业的供需关系和行业周期波动。传统的存储器市场受移动终端和消费电子市场需求影响较大，近年来在 AI 带动下的新一轮数据基建中，存储器在服务器端承担着越来越重要的角色，尤其是匹配 AI 算力需求的大容量、高性能存储解决方案市场需求不断增长。同时，AI技术正在重塑端侧领域，AI 手机、AI PC 等替代传统智能移动终端成为新的趋势，AI 终端对于内存和闪存的带宽、响应速度和容量等关键性能要求更高，成为存储行业新的增量因素。

8.2.1 服务器成为 AI 算力时代存储需求核心驱动力

在数据中心扩建带动 AI 服务器整机出货量增长的背景下，服务器存储市场持续增长。根据 CFM 闪存市场预计，2026 年全球服务器出货量将增长 7%至约1,500 万台，AI 服务器出货预计达到 270 万台，占比 18%。

大型云服务商持续计划扩建 AI 基础设施，据 CFM 闪存市场统计，微软、谷歌、亚马逊和 Meta 将 2025 年资本支出上调至合计 4,000 亿美元，预计 2026年资本支出将增长 25%至约 5,000 亿美元。CFM 闪存市场数据显示，2026 年微软、谷歌、Meta、AWS 和 Oracle 潜在的 NAND 需求（含 HDD 缺口）和DRAM 需求（不含 HBM）同比分别增长约 265%和 110%。

国内服务器市场处于全面提速阶段。据 IDC 数据，2023 年中国 X86 服务器市场出货量为 362 万台，预计 2024 年将增长至 383 万台。中国互联网数据中心存储供应市场长期由国际一线品牌主导，随着国内企业技术实力提升，龙头国产存储将逐步进入该市场，分享中国互联网数据中心市场高速增长红利。

8.2.2 智能手机大存储趋势明显

随着高清视频、大型游戏和高像素照片越来越多，手机存储空间越来越大趋势明显。据 Photutorial 统计，2023 年，平均每个用户的移动端中约储存 2100 张照片，预计有 93%的照片是用智能手机拍摄而成。

另外，AI 手机市场份额预计将大幅上升，同时端侧大模型的部署和普及推动智能手机存储的需求跃升。据 Canalys 预测，到 2028 年，AI 手机占比将超过全球手机市场规模一半，且随着各大手机制造商逐步推进适用于移动终端的 AI 大模型的研发和部署，手机本地算力的要求进一步提高，带动单机内存和闪存需求的进一步上升。据 CFM 闪存市场的预测，2025 年单部智能手机的 NAND闪存平均容量有望突破 220GB，DRAM 容量有望突破 8GB。

8.2.3 AI PC 换机潮有望带动产业链

据 CFM 闪存市场数据，2025 年全球 PC 出货量将小幅增长 3%至 2.61 亿台。整机制造商目前已在密集推出 AI PC 相关产品，产业链规模效应逐步显现，AI PC 凭借本地部署的 AI 大模型提升了使用便捷性、数据安全性和工作效率，市场热度持续提升，CFM 闪存市场预计 2025 年至 2028 年全球 AI PC 渗透率将快速提高。