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2026/1/11 21:58:40 网站建设 项目流程

eMMC、DRAM、MicroSD 和 Flash 是常见的存储设备或技术,但它们在功能、协议、接口和用途上有显著区别。下面分别介绍这些存储装置所涉及的主要协议和标准:


1.eMMC(Embedded MultiMediaCard)

  • 类型:嵌入式非易失性存储(基于 NAND Flash)
  • 协议/标准
    • 基于MMC(MultiMediaCard)协议
    • JEDEC制定标准(如 JESD84-B51 等)
  • 接口
    • 使用8-bit 并行接口(早期为 4-bit)
    • 时钟、命令、数据线(类似 SD 卡但集成控制器)
  • 特点
    • 内置Flash 控制器,主机无需管理坏块、磨损均衡等
    • 常用于手机、平板、IoT 设备等嵌入式系统
  • 最新版本:eMMC 5.1(2015年),速度可达 ~400 MB/s

2.DRAM(Dynamic Random-Access Memory)

  • 类型:易失性内存(断电数据丢失)
  • 协议/标准
    • 不属于“存储协议”,而是内存接口标准
    • 主要标准由JEDEC制定:
      • DDR SDRAM(DDR1/2/3/4/5)
      • LPDDR(低功耗 DDR,用于移动设备)
  • 接口
    • 并行总线,高带宽,需持续刷新
  • 特点
    • 用作主内存(Main Memory),非长期存储
    • 无文件系统或存储协议,由 CPU 直接寻址访问

⚠️ 注意:DRAM 本身不使用“存储协议”(如 SATA、NVMe),而是通过内存控制器与 CPU 通信。


3.MicroSD(Secure Digital)

  • 类型:可移动非易失性存储(基于 NAND Flash)
  • 协议/标准
    • 基于SD 协议(由 SD Association 制定)
    • 兼容SPI 模式SD 总线模式
  • 接口
    • 默认使用4-bit SD 总线(UHS-I/II 可扩展至 8-bit 或更高)
    • 支持命令/响应机制(类似 MMC)
  • 特点
    • 内置控制器(类似 eMMC)
    • 支持多种速度等级(Class 10, U1/U3, V30/V60/V90)
    • 文件系统通常为 FAT32/exFAT(由主机格式化)
  • 相关标准
    • SD 1.0 → SDHC → SDXC → SDUC
    • UHS-I / UHS-II / SD Express(后者使用 PCIe/NVMe)

SD Express(从 SD 7.0 开始)引入了PCIe + NVMe 协议,实现高达 985 MB/s 的速度。


4.Flash(泛指闪存)

  • 类型:非易失性存储介质(NAND / NOR Flash)
  • 注意:“Flash” 本身是存储介质,不是完整设备,其访问依赖于上层协议或控制器。
  • 常见接口与协议
    • Raw NAND Flash
      • 无内置控制器
      • 需外部控制器处理 ECC、坏块管理等
      • 使用ONFI(Open NAND Flash Interface)Toggle Mode标准(由 ONFI 或 JEDEC 制定)
    • Managed Flash(如 eMMC、UFS、SSD)
      • 封装了控制器,对外提供高级接口
      • 使用 eMMC、UFS、SATA、NVMe 等协议
    • NOR Flash
      • 常用于代码存储(XIP:Execute In Place)
      • 接口多为SPI(Serial Peripheral Interface)或并行地址/数据总线
      • 协议较简单,常用于 BIOS、嵌入式固件

对比总结表:

存储类型易失性协议/标准组织接口是否含控制器典型用途
eMMCJEDEC (MMC)8-bit 并行手机、嵌入式系统
DRAMJEDEC (DDR/LPDDR)并行内存总线否(由内存控制器管理)主内存
MicroSDSD Association4/8-bit SD 总线 或 PCIe(SD Express)相机、手机扩展存储
Raw NAND FlashONFI / JEDEC Toggle并行 I/OSSD、U 盘内部芯片
SPI NOR Flash自定义 / SFDPSPI固件存储、Boot ROM

补充说明:

  • UFS(Universal Flash Storage)是 eMMC 的继任者,使用MIPI M-PHY + SCSI 协议栈,性能更高。
  • NVMe是用于 PCIe SSD 的高速协议,也被引入到 SD Express 和 UFS 中。
  • 文件系统(如 FAT32、ext4、NTFS)运行在这些存储设备之上,不属于底层协议。

2.eMMC 命令集

eMMC(embedded MultiMediaCard)的命令集基于MMC 协议,由JEDEC标准(如 JESD84-B51)定义。eMMC 命令用于主机(Host)与 eMMC 设备之间的通信,涵盖设备初始化、读写操作、配置、状态查询等功能。


一、eMMC 命令基本结构

每个 eMMC 命令是一个48-bit的命令包,格式如下:

[Start bit (1)] [Transmission bit (1)] [Command index (6)] [Argument (32)] [CRC7 (7)] [End bit (1)]
  • Start bit: 固定为 0
  • Transmission bit: 主机到卡为 1,卡到主机为 0(但所有命令均由主机发起)
  • Command index: 6 位,表示命令编号(CMD0 ~ CMD63)
  • Argument: 32 位参数,随命令不同而变化(如地址、块数等)
  • CRC7: 7 位校验码(部分命令如 CMD0 不使用 CRC)
  • End bit: 固定为 1

注意:eMMC 使用开漏(Open-drain)模式进行初始化,之后切换为推挽(Push-pull)模式进行高速数据传输。


二、常用 eMMC 命令列表(按功能分类)

1.初始化与复位

命令名称功能说明
CMD0GO_IDLE_STATE复位 eMMC 到 idle 状态(不带 CRC)
CMD1SEND_OP_COND主机发送 OCR(Operating Conditions Register),用于电压协商和设备初始化(仅主机使用)
CMD2ALL_SEND_CID请求所有卡返回 CID(Card Identification),用于识别设备
CMD3SET_RELATIVE_ADDR设置卡的 RCA(Relative Card Address),后续通信使用该地址

2.设备识别与配置

命令名称功能说明
CMD7SELECT/DESELECT_CARD选中(RCA ≠ 0)或取消选中(RCA = 0)某张卡
CMD8SEND_EXT_CSD读取Extended CSD寄存器(关键!包含容量、速度模式、分区信息等)
CMD9SEND_CSD读取 CSD(Card-Specific Data)寄存器,含容量、块大小等
CMD10SEND_CID读取 CID(制造商、产品号等)

3.读写操作

命令名称功能说明
CMD16SET_BLOCKLEN设置块长度(通常固定为 512 字节,eMMC v4.5+ 强制 51

3.如何解读eMMC的CRC校验码?

在 eMMC(embedded MultiMediaCard)协议中,CRC 校验码用于确保命令(Command)、响应(Response)和数据(Data)在总线上传输的完整性。eMMC 主要使用两种 CRC 机制:

  • CRC-7:用于命令(CMD)和大多数响应(Response)
  • CRC-16:用于数据块(Data Block)传输

下面分别说明如何解读(即验证)这两种 CRC 校验码。


一、CRC-7:用于命令与响应

1.应用场景

  • 所有从主机发送到 eMMC 的命令(48-bit CMD)都包含 7 位 CRC(CRC-7)
  • 除 R3 响应外,所有响应(如 R1, R2, R6 等)也包含 CRC-7
  • R3(OCR 寄存器读取)不带 CRC

2.生成多项式

eMMC 使用标准的CRC-7 多项式
[
G(x) = x^7 + x^3 + 1
]
对应的二进制表示为:10001001(8 位,最高位隐含)

注意:通常写作0x89(但只用低 7 位参与计算,最高位为 1 固定)

3.如何验证 CRC-7?

以一条主机发出的命令为例(48 位):

[Start=0][Trans=1][CMD index (6b)][Argument (32b)][CRC7 (7b)][End=1]

验证步骤:

  1. 提取前40 位(不含 Start/End/CRC 本身):

    • [Trans][CMD index][Argument]共 1+6+32 = 39 位?
      ❌ 实际上:整个 48 位帧中,CRC 覆盖的是前 40 位(包括 Start 到 Argument)

    ✅ 正确做法(按 JEDEC):

    • 48 位命令帧中的前 40 位(bit 47 到 bit 8)作为输入数据
    • 计算这 40 位的 CRC-7 值
    • 与命令中携带的CRC7 字段(bit 7~1)比较
    • 若一致,则校验通过
  2. 更实用的方法(接收端视角)

    • 整个 48 位命令(含 CRC7)视为一个数据流
    • 用生成多项式x⁷ + x³ + 1对其做模 2 除法
    • 如果余数为 0,则 CRC 校验成功

💡 这是因为发送端在计算 CRC 时,是在原始数据后附加 CRC,使得(数据 || CRC) mod G(x) = 0

4.示例(简化)

假设命令内容(不含 Start/End)为:

  • CMD index = 6’b000001 (CMD1)
  • Argument = 32’h00FF8000
  • Trans bit = 1

拼接成 39 位?实际协议规定 CRC 覆盖40 位(包括 Start bit 后的 40 位)。工程上通常直接使用硬件 CRC-7 模块或查表法验证。


二、CRC-16:用于数据块

1.应用场景

  • 每个512 字节的数据块后附加2 字节(16 位)CRC-16
  • 用于读写数据时的完整性校验

2.生成多项式

eMMC 使用CRC-16-CCITT变种:
[
G(x) = x^{16} + x^{12} + x^5 + 1
]
对应十六进制多项式:0x11021(17 位),常简写为0x1021(省略最高位)

3.如何验证 CRC-16?

发送端

  • 对 512 字节数据计算 CRC-16
  • 将 CRC-16 附加在数据块末尾(共 514 字节)

接收端

  • 收到 514 字节(512 数据 + 2 CRC)
  • 全部 514 字节用相同多项式做 CRC-16 计算
  • 如果结果为0x0000,则数据正确

✅ 原理同 CRC-7:(Data || CRC16) mod G(x) = 0


三、实际解读建议

方法 1:使用标准 CRC 库验证

// 验证 eMMC 命令 CRC-7 uint8_t calc_crc7(const uint8_t *data, int len_bits) { uint8_t crc = 0; for (int i = 0; i < len_bits; i++) { uint8_t bit = (data[i/8] >> (7 - i%8)) & 1; uint8_t cbit = ((crc >> 6) ^ bit) & 1; crc <<= 1; if (cbit) crc ^= 0x12; // 0x12 = 0b00010010 (x^7+x^3+1 的低位表示) } return crc & 0x7F; }

更高效方式是使用预计算的 CRC-7 表(256 项)

方法 2:逻辑分析仪 / 协议分析工具

  • 使用支持 eMMC 协议解码的逻辑分析仪(如 Ellisys、Total Phase)
  • 工具会自动解析命令、提取 CRC,并标记校验是否通过

方法 3:参考 JEDEC 标准

  • JESD84-B51 Section 7.4(CRC for Commands)
  • Section 7.5(CRC for Data)

四、常见误区

误区正确理解
“CRC-7 是对整个 48 位计算”CRC-7 仅覆盖前 40 位(bit 47~8),最后 8 位是 CRC7+End
“R3 响应有 CRC”R3(SEND_OP_COND 响应)无 CRC,共 136 位纯数据
“CRC-16 用 IEEE 802.3 多项式”eMMC 使用CCITT 多项式(0x1021),不是 CRC-16-IBM(0x8005)

总结

校验类型用途多项式校验通过条件
CRC-7命令 & 响应(除 R3)(x^7 + x^3 + 1)接收端计算余数 = 0
CRC-16数据块(512B + 2B)(x^{16} + x^{12} + x^5 + 1)接收端计算余数 = 0

🔍关键点:eMMC 的 CRC 设计遵循“发送 (Data || CRC),接收端整体校验余数为 0”的原则,这是循环冗余校验的标准用法。

4.SD 协议状态机

SD(Secure Digital)协议的状态机是 SD 卡(包括 MicroSD)与主机(Host)通信的核心控制逻辑,用于管理卡从上电到数据传输的整个生命周期。该状态机由SD Association在《SD Specifications Part 1: Physical Layer Simplified Specification》中定义。


一、SD 卡状态机概览

SD 卡在任意时刻处于以下7 种状态之一

状态英文名说明
0Idle State上电复位后的初始状态
1Ready State卡已识别电压范围,准备就绪
2Ident State卡正在发送/接收识别信息(CID、RCA)
3Stand-by State卡已被分配 RCA,等待被选中
4Transfer State卡被选中,可进行读写、擦除等操作
5Sending-data State正在发送数据块(如读操作)
6Receive-data State正在接受数据块(如写操作)
7Programming State写入或擦除操作正在进行(内部 Flash 编程)
8Disconnect State(仅在某些版本中提及,较少使用)

⚠️ 注意:不同资料可能将状态编号略有差异,但核心流程一致。最常见的是9 个状态(含 Disconnect),但简化模型常关注前 7 个。


二、状态转移图(关键路径)

以下是典型的状态转移流程(以标准初始化和读写为例):

[Power On] ↓ Idle State ──CMD0──┐ ↑ ↓ └────(CMD0)← Reset ↓ (CMD8 + ACMD41) Ready State ↓ (CMD2) Ident State ↓ (CMD3: SET_RCA) Stand-by State ↓ (CMD7 with RCA ≠ 0) Transfer State ↙ ↘ (CMD17/18) → Sending-data Receive-data ← (CMD24/25) ↓ ↓ (Data + CRC) (Data + CRC) ↓ ↓ Transfer State ← Programming State ← (内部写入完成)

三、各状态详解与关键命令

1.Idle State(空闲态)

  • 上电或 CMD0 后进入
  • 卡不响应大多数命令
  • 关键命令
    • CMD0:GO_IDLE_STATE → 强制进入此状态
    • CMD8:SEND_IF_COND(检查电压兼容性,SD v2.0+ 必需)
    • ACMD41:SD_SEND_OP_COND(主机轮询 OCR,直到卡就绪)

✅ 初始化流程:
主机反复发送ACMD41(需先发 CMD55),直到卡返回CCS=1busy=0,表示进入 Ready State。


2.Ready State(就绪态)

  • 卡已确认供电电压合适
  • 可响应识别类命令
  • 关键命令
    • CMD2:ALL_SEND_CID → 进入 Ident State

3.Ident State(识别态)

  • 卡发送 CID(Card Identification Register)
  • 主机获取唯一标识
  • 关键命令
    • CMD3:SET_RELATIVE_ADDR → 主机分配 RCA(16-bit 地址)
    • 执行后进入Stand-by State

4.Stand-by State(待机态)

  • 卡已有 RCA,但未被选中
  • 可被其他卡共享总线(多卡系统)
  • 关键命令
    • CMD7(RCA ≠ 0):SELECT_CARD → 进入Transfer State
    • CMD7(RCA = 0):DESELECT_CARD → 返回 Stand-by

5.Transfer State(传输态)

  • 卡被选中,可执行高级操作
  • 支持命令
    • CMD9:SEND_CSD(读取容量、速度等参数)
    • CMD16:SET_BLOCKLEN(设置块长度,默认 512B)
    • CMD17/18:READ_SINGLE/READ_MULTIPLE_BLOCK
    • CMD24/25:WRITE_BLOCK/WRITE_MULTIPLE_BLOCK
    • CMD32/33:ERASE_WR_ST/ERASE_RD_ST(设置擦除范围)
    • CMD38:ERASE

🔄 读写时会临时进入 Sending-data / Receive-data 状态,完成后自动返回 Transfer State。


6.Sending-data / Receive-data

  • 临时状态,用于数据传输阶段
  • 数据通过 DATA 线以块(Block)形式传输
  • 每块结尾附带CRC-16
  • 传输完成后:
    • 读操作 → 返回 Transfer State
    • 写操作 → 进入Programming State

7.Programming State(编程态)

  • 卡正在将数据写入内部 NAND Flash
  • 此时卡可能返回busy 信号(通过 DAT0 线拉低)
  • 主机需轮询状态(如发 CMD13: SEND_STATUS)直到完成
  • 完成后返回Transfer State

四、特殊注意事项

✅ 多卡支持

  • SD 总线允许多张卡共存
  • 每张卡有独立 RCA
  • 任一时刻最多一张卡处于 Transfer State

❌ 常见错误

  • 在 Idle State 直接发 CMD17 → 卡忽略或报错
  • 未完成 ACMD41 初始化就尝试读写 → 失败
  • 写操作后未等待 Programming 完成就断电 → 数据丢失

🆕 SD Express(PCIe 模式)

  • 使用 NVMe 协议,绕过传统状态机
  • 仅在初始化阶段使用 SD 状态机,之后切换到 PCIe/NVMe 模式

五、状态查询命令

命令功能
CMD13SEND_STATUS → 返回卡当前状态(R1 响应中的 bit[12:9])
R1 响应格式(bit 12~9):
0 = Idle 1 = Ready 2 = Ident 3 = Stand-by 4 = Transfer 5 = Sending-data 6 = Receive-data 7 = Programming

示例:若 CMD13 返回 R1 = 0x00000900,则 bit[12:9] = 0b1001 → 状态 = 9?
→ 实际需按规范解析:通常取(R1 >> 9) & 0xF,结果为 4 表示 Transfer State。


六、总结:典型工作流程

  1. 上电→ Idle State
  2. CMD0→ 确保复位
  3. CMD8 + ACMD41 循环→ 进入 Ready
  4. CMD2 → CMD3→ 获取 CID,分配 RCA
  5. CMD7(RCA)→ 进入 Transfer
  6. CMD17/24 等→ 读写数据(经 Sending/Receive-data)
  7. CMD7(0)→ 可选:取消选中,返回 Stand-by

5.ONFI 时序

ONFI(Open NAND Flash Interface,开放 NAND 闪存接口)时序是确保 NAND 闪存与控制器之间可靠通信的关键。ONFI 标准由 ONFI 工作组制定(成员包括 Intel、Micron、SK Hynix 等),其电气时序规范定义了信号之间的最小/最大延迟、建立/保持时间、周期等参数,以保证在不同速率模式下数据的正确传输。


一、ONFI 时序的核心目标

  • 标准化:统一不同厂商 NAND 闪存的接口时序
  • 兼容性:主控无需修改即可支持多家 NAND
  • 可扩展性:从 SDR 到 NV-DDR3/LPDDR4,速率不断提升
  • 可靠性:通过严格时序约束避免数据采样错误

2. ONFI 支持的接口模式与时序类型

模式全称特点时序模式数量
SDRSingle Data Rate仅在时钟上升沿采样6 种(Mode 0~5)
NV-DDRDouble Data Rate上升+下降沿采样6 种(Mode 0~5)
NV-DDR2DDR 第二代更高频率,源同步 DQS22 种(Mode 0~21)
NV-DDR3DDR 第三代支持 800 MT/s+,DQS/DQS# 差分22 种
NV-LPDDR4低功耗 DDR4用于移动设备多种(基于 JEDEC LPDDR4)

✅ 上电后,NAND 默认处于Mode 0(最慢、最兼容)。
✅ 主控通过读取Parameter Page判断 NAND 支持哪些时序模式。


三、关键时序参数(以 NV-DDR2/3 为例)

ONFI 4.0 定义了数十个时序参数,以下是最关键的几个:

参数符号含义说明
Read Cycle Time连续读操作的最小周期
Write Cycle Time写操作的最小周期
Data Setup Time数据在 DQ 上需在 DQS 有效前稳定的时间
Data Hold Time数据在 DQS 有效后需保持的时间
DQS to CLK SkewDQS 与 CLK 的相位偏移(源同步关键)
Write Preamble/Postamble写 DQS 前导/后导(用于时钟恢复)
Read Preamble/Postamble读 DQS 前导/后导

📌DQS(Data Strobe)是源同步时钟,由 NAND(读)或控制器(写)发出,用于采样 DQ 数据。


四、时序模式协商流程

  1. 上电复位→ NAND 进入 Mode 0(SDR,~50 MHz)
  2. 主控读取 Parameter Page(通过 READ PARAMETER PAGE 命令)
    • 地址:0x00
    • 返回 256 字节,包含:
      • 支持的时序模式(Byte 92~95)
      • 页大小、块大小、ECC 要求等
  3. 主控选择最高支持的时序模式
  4. 发送 SET FEATURES 命令(Feature Address = 0x01)
    • Argument[7:0] = 目标 Timing Mode(如 0x05 表示 NV-DDR2 Mode 5)
  5. NAND 切换到新时序模式,后续通信按新参数执行

⚠️ 若设置不支持的模式,NAND 可能无响应或行为未定义。


五、时序验证与测试(工程实践)

1.一致性测试(Compliance Test)

使用泰克(Tektronix)PGY-ONFI 软件 + 高带宽示波器(≥4 GHz):

  • 支持 SDR/NV-DDR/NV-DDR2/3
  • 生成 Pass/Fail 报告(依据 ONFI 4.0 规范)

2.眼图分析(Eye Diagram)

  • 在 DQ 和 DQS 信号上叠加多个周期
  • 眼图张开度反映时序裕量
  • 眼高 > 0 且眼宽 > 0 表示满足建立/保持时间

3.常见时序违规

问题原因解决方案
数据采样错误优化 PCB 走线长度匹配
DQS 相位偏移过大调整控制器 DQS 延迟(DLL/PI)
写入失败增加写前导时间

六、ONFI 时序 vs 其他接口

接口时钟方式是否源同步最高速率(典型)
ONFI SDR共同时钟(CLK)50 MHz
ONFI NV-DDR3源同步(DQS)800 MT/s
Toggle Mode(三星/东芝)源同步(RDn/WRn)800 MT/s+
eMMC共同时钟200 MHz(HS400 使用双沿)

🔁 ONFI 与 Toggle Mode 是两大 NAND 接口标准,互不兼容。


七、参考资料(来自你的知识库)

  • ONFI 4.0 规范定义了完整的时序参数表
  • 泰克 PGY-ONFI 软件支持自动测量与调试
  • NAND 上电默认 Mode 0,需通过 Parameter Page 协商更高速率
  • 泽石科技专利通过“模板触发”优化时序间隔,提升带宽 40%+

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