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2026/1/10 1:13:11 网站建设 项目流程

HN32512 是一款非隔离300MA~600MA降压控制芯片,内置 500V MOS;采用PWM+PFM 相结合的控制方式,实现效率和待机性能的优化,降低了噪声。

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HN32512典型应用图:

HN32512 非隔离降压控制芯片的两种典型应用电路,核心是实现 “输入电压(Vin)→ 稳定输出电压(Vo)” 的降压转换,适用于小家电、传感器等小功率场景。


1. 芯片与电路的核心信息
HN32512 是一款非隔离降压芯片(SOP-8 封装),通过简单的外围元件实现降压稳压,支持多种输出电压场景,下图是两种不同输出电压范围的电路方案:
2. 左侧电路:8V ≤ Vo ≤ 24V
适用场景:输出电压在 8~24V 之间(比如默认 12V,当 FB 引脚悬空时输出 12V)。
关键细节:
FB 引脚接了分压电阻(上下电阻之和需为 150kΩ),用于调节输出电压;
电感、二极管、电容等元件配合芯片,实现降压、滤波、续流功能。
3. 右侧电路:Vo <8V 或 Vo> 25V
适用场景:输出电压低于 8V,或高于 25V 的场景(超出左侧电路的调节范围)。
关键细节:
FB 引脚的分压电路设计不同(电容、电阻的连接方式调整),以适配更宽的电压范围。
4. 电路的作用
这两个电路都是非隔离降压电路,核心是把输入电压(比如 220V 交流电经整流后的高压),通过 HN32512 芯片转换成稳定的低压(如 12V、5V),给小家电、传感器等设备供电,同时芯片自带过压、过流、过温保护功能,提升安全性。

电路内部框构图:

应用指导(Application Guidance)
1.输出电压 Vo,输出电流lo,输入电容建议 1ufV,如10W 就用 10uF;
2CS 基准 500mv,峰值电流取输出电流两倍,CS 电阻取值Rcs=250mv/lo,如输出0.5A,CS 电阻就取250mv/0.5A=0.5 2;
3满载时进入CCM,由于最小消磁(关断)时间 16uS,CCM 取电感电流自峰值下降70%,也就是L=(Vo+1)*16us/(1.4*lo),比如Vo=12V,10=0.5A,那么L=(12+1)*16us/0.7A=297uH;电感饱和电流必须>2.4*10,比如输出0.5A,电感饱和电流必须>1.2A,选择合适磁芯保证安全;4以上计算是按照比较紧的规格计算的,如果过流点需要留有余量,在完成以上计算后,CS电阻可酌情缩小 10%;5如果 FB是通过 VCC 分压电阻取得反馈,那么 VCC 分压电阻总值应取>=150K比较合理;6.
供电方案的选择:由于芯片VCC工作范围是7.7-28V,UVLO为7.7V,VCC OVP为28V,因此当输出7电压<8V时,输出无法提供 VCC的供电电压,此时只能用自供电,当输出电压在 8-24V范围内,用输出供电最优,可以提高芯片效率(MOS的 gate驱动电压被内部钳位在11-12V);当输出>25V时,离VCC OVP的28V比较近,有可能在负载动态切换时触发VCC OVP,所以此时就建议采用自供电,不要用输出供电。


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