特性
低电压工作:1.8V至5.5V
阻抗:402(典型值)
低导通电阻平坦度
-3dB带宽:300MHz
轨到轨输入输出操作
高关断隔离度:1MHz时为-75dB
低串扰:1MHz时-100dB
典型功耗(<0.01pW)
兼容TTL/CMOS
无铅(Pb)TQFN-16(3mmx3mm)和TQFN-16(2.5mmx2.5mm)封装
扩展工业温度范围:-40C至+85C
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特性
低电压工作:1.8V至5.5V
阻抗:402(典型值)
低导通电阻平坦度
-3dB带宽:300MHz
轨到轨输入输出操作
高关断隔离度:1MHz时为-75dB
低串扰:1MHz时-100dB
典型功耗(<0.01pW)
兼容TTL/CMOS
无铅(Pb)TQFN-16(3mmx3mm)和TQFN-16(2.5mmx2.5mm)封装
扩展工业温度范围:-40C至+85C