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合作协议扩大安森美产品组合，涵盖用于 AI 数据中心、汽车及航空航天领域的 650V 横向 GaN 芯片

安森美（Onsemi）已与格罗方德（GlobalFoundries，简称 GF）签署了一项合作协议，将利用格罗方德最新的 200mm 硅基 eMode 氮化镓（GaN-on-Silicon）工艺，共同开发和制造先进的 GaN 功率产品，首阶段将聚焦于 650V 电压等级。

此次合作将加速安森美高性能 GaN 器件及集成电源级产品的路线图进程，通过引入高压产品进一步丰富其产品组合，以满足人工智能（AI）数据中心、电动汽车（EV）、可再生能源、工业系统以及航空航天、国防和安全领域日益增长的电力需求。

安森美公司战略高级副总裁 Dinesh Ramanathan 表示：“此次合作将安森美在系统和产品方面的专长与格罗方德先进的 GaN 工艺相结合，旨在为高增长市场推出全新的 650V 功率器件。配合我们的硅基驱动器和控制器，这些 GaN 产品将助力客户进行创新，构建更小巧、更高效的电源系统，应用于 AI 数据中心、电动汽车、太空应用等更广阔的领域。我们计划在 2026 年上半年开始向客户提供样品，并迅速扩大至大规模量产。”

格罗方德首席商务官 Mike Hogan 表示：“通过结合我们的 200mm 硅基 GaN 平台、美国本土制造能力以及安森美深厚的系统和产品专长，我们正在加速高能效解决方案的落地，并为数据中心、汽车、工业、航空航天与国防以及其他关键市场构建更具韧性的供应链。作为格罗方德的重要合作伙伴，安森美将与我们一道，持续推进 GaN 半导体技术的发展，以满足人工智能、电动化和可持续能源不断演进的需求。”

安森美将把其硅基驱动器、控制器以及热增强型封装技术，与格罗方德的 650V GaN 技术平台相结合，交付经过优化、具备更高功率密度和能效的 GaN 器件。这些器件的应用领域包括：

• AI 数据中心：电源供应器和 DC-DC 转换器。
• 电动汽车：车载充电机和 DC-DC 转换器。
• 可再生能源：太阳能微逆变器和储能系统。
• 工业与航空航天/国防/安全：电机驱动器和 DC-DC 转换器。

此次合作意味着安森美的功率半导体产品组合现已涵盖 GaN 技术的全光谱，包括从低压、中压到高压的横向 GaN，以及超高压的垂直 GaN 技术。

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