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MOSFET有三个电极，源极、栅极和漏极，简化模型如下图：

MOS失效的原因

雪崩失效(电压失效)

雪崩失效（电压型失效）当 MOSFET 漏源极之间施加的电压超过器件额定漏源击穿电压 BVdss，且超出幅度达到临界阈值时，会引发雪崩击穿效应，导致器件内部载流子急剧倍增，最终造成 MOSFET 永久性失效。

开关电源典型失效场景

SOA失效(电流失效)

SOA 失效（电流型失效）该失效源于器件工作状态超出安全工作区（SOA） 范围，分为两种情况：

• 一是漏极电流 Id 直接超出器件规格书中的最大限值，引发瞬时过载失效；
• 二是 Id 过大导致导通损耗、开关损耗剧增，热量累积速度超过器件散热能力，最终因热击穿失效。

体二极管失效

体二极管失效在桥式拓扑、LLC 谐振拓扑等需要体二极管续流的电路中，体二极管若承受超出耐受能力的反向恢复电流、电压尖峰，或长时间高频续流导致热应力持续累积，会造成体二极管损坏，进而引发 MOSFET 整体功能失效。

谐振失效、栅极电压失效

谐振失效多颗 MOSFET 并联应用场景下，栅极驱动回路的寄生电感、寄生电容，与器件自身的输入电容等参数相互作用，会引发高频寄生振荡。这会导致栅极电压波动剧烈，器件开关过程异常，最终因损耗激增或电压击穿失效。

栅极遭遇异常过冲电压尖峰，超出栅源极额定耐压范围（多数商用 MOSFET 栅源耐压为 ±20V 左右），会直接击穿栅极氧化层，导致栅极绝缘性能完全丧失，器件彻底失效。

静电失效

秋冬干燥环境或静电防护措施不足时，人体、生产设备产生的静电电荷可通过栅极等引脚注入器件，瞬间击穿栅极氧化层，造成 MOSFET 不可逆损坏。

驱动异常失效

该失效分为两种子类型：

• 一是驱动不足，栅源驱动电压 Vgs 未达到器件导通阈值或未达到饱和导通电压，导致 MOSFET 导通电阻 Rds(on) 大幅上升，损耗飙升引发热失效；
• 二是驱动过冲，栅极驱动回路的电压尖峰超出栅源耐压，与栅极电压失效原理类似，但触发源为驱动电路设计缺陷，而非外部异常电压。

热循环失效

MOSFET 在工作过程中反复经历 “升温 - 降温” 的热循环，会导致器件封装引脚与芯片结合处、焊点出现热疲劳，进而引发引脚松动、焊点开裂，最终造成电路接触不良或器件失效。该失效多见于大功率、高频开关的应用场景。

化学腐蚀失效

在潮湿、含盐雾或腐蚀性气体的恶劣环境中，MOSFET 的封装材料会被侵蚀，引脚会发生氧化、锈蚀，导致引脚接触电阻增大；若腐蚀穿透封装，还会造成芯片内部电路氧化短路，最终引发器件失效。

封装失效

因机械冲击、振动、外力挤压等物理因素，导致 MOSFET 封装开裂、引脚弯折断裂，使芯片与外部电路的连接中断，或芯片直接暴露在空气中受污染失效。